用于光刻系统的掩模版支架 CNC 加工

Zerodur微晶玻璃的热膨胀系数接近于零（低于0.02 ppm/K），加上其在热循环条件下较低的微晶玻璃膨胀率，使其能够可靠地减少温度图案的放置误差，并在热循环过程中保持良好的尺寸稳定性和平坦度。Zerodur微晶玻璃还具有足够的刚度和尺寸稳定性，适用于光学系统。超低膨胀 (ULE) 玻璃在热膨胀和光学质量方面表现更佳。ULE玻璃还保持了卓越的光学质量和精密的光刻工艺。Invar 36 具有低热膨胀系数（1.2 ppm/K），适用于多种应用，并具有优异的机械加工性能、可用​​于静电吸盘集成的磁性以及成本效益。钛合金重量轻且热膨胀系数低（8.6 ppm/K），可通过主动温控进行控制，并且兼容洁净室。碳纤维复合材料可提供定制的热膨胀系数，以匹配光罩基板。复合材料还能最大程度地减轻重量并实现减震。

超精密表面研磨技术使6英寸见方区域内的标线支撑表面平整度达到0.0001英寸以内，总厚度变化低于0.0003英寸。精密研磨可产生镜面般光滑的表面，Ra值低于0.05微米，可达到光学级光洁度，并将颗粒粘附降至最低。金刚石加工技术可加工陶瓷和玻璃材料。数控铣削技术可创建安装特征、对准基准和冷却通道。坐标钻孔技术可制作真空端口和夹紧机构接口，位置精度在±0.002英寸以内。线切割技术可为边缘夹具切割精密槽口。金属支架的电解抛光可减少颗粒的产生。所有关键操作均在ISO 3级洁净室中进行，以防止污染。

我们实现了在 6 平方英寸区域内 0.0001 英寸以内的掩模版支撑表面平整度，以实现均匀的掩模夹紧，防止图案变形；顶部和底部表面之间的平行度在 0.0003 英寸以内，确保垂直照明；位置参考精度在 ±0.001 英寸以内，用于平台对准；研磨表面上的表面光洁度低于 0.05 Ra 微米，最大限度地减少颗粒粘附和光散射；夹紧力均匀性在 5% 以内，防止掩模版应力；热稳定性保持尺寸变化低于每摄氏度 10 纳米。

当然。我们为光刻工具和小批量光刻-IC测试工具提供快速原型设计，并在先进的研究测试工具和中试生产线上进行生产，每套支架可生产5至50套。此外，我们还为商用光刻系统进行中等批量生产，每年生产数百套支架。我们执行所有必要的检测，例如全尺寸精度检测、使用激光干涉法进行的平面度检测，以及通过在20至25度之间循环支架进行的结构热稳定性测试。其他测试包括：根据SEMI标准测试的颗粒生成（加法计数低于0.01）以及支架的认证热膨胀。我们还检查并认证支架的热膨胀。

可用的选项包括精密研磨，可使标线支撑表面的 Ra 值低于 0.05 微米，平面度达到 0.0001 英寸；将陶瓷支架超抛光至 Ra 值低于 0.01 微米，用于 EUV 应用，以最大限度地减少光散射；将金属电解抛光至 Ra 值 0.2 微米，可去除表面污染并通过电解抛光；对铝进行硬质阳极氧化，以提高耐腐蚀性和耐磨性；以及先进的技术，包括等离子清洗，可去除有机污染物，使表面清洁度达到每平方厘米 10^12 个原子；防反射涂层可最大限度地减少杂散光；真空烘烤可减少排气，使系统与真空兼容

是的，所有组件均按照 ISO 9001 质量管理体系进行生产和记录，所有组件均经过尺寸检查、设计验收和干涉测量平整度测试，并根据 SEMI E52 标准通过循环和颗粒生成确认 20 至 25 度之间的热稳定性，以及符合先进节点光刻设备标准的图案化贴装精度，轮廓控制精度为 2 纳米。我们已认证污染物控制，以支持缺陷密度，支架的曝光循环超过 100,000 次，产生的颗粒缺陷低于每平方厘米 0.01 个。

对于数控加工的光罩支架，标准因瓦合金和钛合金支架的交付周期为20至28个工作日，其中包括加工、研磨和在洁净室进行鉴定。相比之下，超低膨胀陶瓷支架（Zerodur/ULE）由于材料加工和热特性要求较高，则需要10至14周的时间。因此，用于平面度测试的原型支架可在14至18天内完成，从而加快光刻系统的开发速度。

我们创造了超平支架，要求 EUV 光刻的全孔径平面度在 50 纳米以内；温控支架，使套刻精度低于 2 纳米，稳定性为 ±0.01°C；高吞吐量支架，使掩模版交换时间少于 5 秒；薄膜兼容接口，使保护膜无振动连接；大尺寸支架，用于先进封装光刻，可处理大于 9 英寸掩模版；双掩模版支架，用于双重图案化；定制隔振支架，满足亚纳米稳定性要求；集成到静电卡盘的隔振功能，可主动控制夹紧力；自适应支架，用于主动表面控制，改变掩模版平面度补偿和控制，远远超出掩模版控制。

光罩支撑表面的平整度在 0.0001 英寸以内，可确保均匀接触并防止图案变形。1 微米的光罩弯曲会导致晶圆级 4 纳米的套刻误差，并降低 < 5 纳米先进节点上的器件良率。使用热膨胀系数 < 0.02 ppm/K 的超低材料可防止曝光过程中尺寸变化 > 10 纳米和温度变化。这可将多重图案化工艺的图案放置精度保持在 2 纳米以内。Ra < 0.05 微米的超光滑研磨表面可最大限度地减少颗粒粘附，并实现每次曝光的颗粒总数 < 0.01 个，从而防止关键层出现致命缺陷，消除标记粗糙表面上的过多颗粒。足够的刚度可防止振动引起的图案模糊。这可保持图像质量，调制传递函数 > 80%。精确的对准参考功能支持 10 纳米以内的光罩到平台定位，以满足先进逻辑和存储器件的套刻预算。材料选择和掩模版热膨胀平衡应力变形和选择变形。
光掩模的可靠处理得益于半导体光刻所需的精密制造工艺，其精度高达 2 纳米以内，多重图案化时可达到 1.5 纳米以下的 3-sigma 套准性能，并且实现了高水平的污染控制，缺陷密度低于每平方厘米 0.01 个缺陷。此外，该光掩模的使用寿命超过 100,000 万次曝光循环，这意味着可在先进的逻辑制造设施中实现数年的 5 纳米、3 纳米和 2 纳米技术节点（包括先进的 2 纳米技术）的大批量生产。