| カテゴリー | 標準グレード/ビルドアップ | 主要なパフォーマンス | 銅の重量範囲 | 備考 |
| 銅箔 | RTF、RA、ED(Ra≤3µm) | 58 MS/mの導電率、耐熱衝撃性 | 3~40オンス | 厚い銅が好まれ、アンダーカットが少ない |
| 樹脂システム | 高Tg FR-4(Tg 170℃) | Tg 170~180℃、低ΔT反り | ≤12オンス | 低コストの自動車および電力の主流 |
| ポリイミド(PI) | Tg ≥ 250 °C、フレキシブル、300 °C はんだ付け可能 | 3~10オンス | 厚銅FPC、軍事および航空宇宙 | |
| エポキシ + フィラー (EM827、EXB-HT) | 70%フィラー、CTE 11 ppm、150 °C定格 | 6~20オンス | フローブロッキング、FR-4の代替 | |
| 強化 | 標準Eガラス 2116/7628 | 低コスト、CTE 16 ppm | ≤10オンス | 従来の厚銅板 |
| 低熱膨張アラミド不織布 | CTE 6 ppm、密度 1.3 g/cm³ | ≤6オンス | 寸法安定性、高吸湿性 | |
| 炭素繊維/炭素複合材 | 面内λ 30~325 W/m·K、CTE –1.5~4 ppm | ≥10オンス | 剛性+ヒートスプレッダー、エッチング不可 | |
| 金属コア/ベース | アルミニウムIMS(5052/6061) | λ 1–2 W/m·K、光 | 3~6オンス | LED、小型DC-DC |
| 銅ベース(C1100) | λ 390 W/m·K、熱膨張係数 17 ppm | 6~30オンス | EV、パワーモジュール | |
| Cu-Mo-Cu(CMC)ラミネート | λ 150 ~ 220 W/m·K、CTE 5.6 ~ 7 ppm | 10~40オンス | 高信頼性航空宇宙電源 | |
| セラミックDBC(Al₂O₃/AlN) | λ 24 ~ 170 W/m·K、CTE 4.5 ~ 7 ppm | 6~28オンス | 真空、350℃動作 | |
| プラグ/充填樹脂 | 高耐熱エポキシプラグ(3 W/m·K) | CTE 18 ppm、150 °C定格 | 内側 ≥4オンス | PPパウダーの代替品、より滑らかな表面 |
| 銅ペーストプラグ | 3×10⁻⁵Ω・cm、λ20W/m・K | 盲目/埋もれた | 伝導+熱、高コスト |
| プロセスパラメータ | サンプル | バッチ |
|---|---|---|
| 層 | 50L | 40L |
| 完成したボードの厚さ | 0.2〜18.0 mm | 0.3〜10.0 mm |
| 板厚公差 | ±8% | ±8% |
| 最小線幅/間隔 | 1.5万/1.5万 | 2万/2万 |
| 最小穴間隔 | 5千 | 5千 |
| 最大処理サイズ | 1200 mm * 600 mm | 570 mm * 760 mm |
| 最小完成サイズ | 5 mm * 5 mm | 50 mm * 50 mm |
| 銅の厚さ | 1/3オンス~12オンス | 1/3オンス~8オンス |
| 層間アライメント精度 | 0.8千 | 1千 |
| 最小貫通穴径 | 20 mm | 20 mm |
| 最小止まり穴径 | 20 mm | 20 mm |
| 最大アスペクト比 | 35:1 | 30:1 |
| エッチング公差 | ±10%/±0.8ミル | ±10%/±1ミル |
| 最小ソルダーマスクブリッジ | 2千 | 3千 |
| インピーダンス制御許容差 | ±5% | ±7% |
| HDIオーダー | 8次 | 5次 |
| 表面仕上げ工程 | ENIG、E-Gold、HASL、Ni-Pd-Au、Thick E-Gold、ImSn、ImAg、OSP など | ENIG、E-Gold、HASP、Ni-Pd-Au |
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