| カテゴリー | 推奨モデル/仕様 | Key Parameters | 備考 |
|---|---|---|---|
| 基板 | ① コアレスBTビルドアップ基板(ABF GX-13) ② 低温同時焼成セラミック(LTCC) | Dk: 3.4@10 GHz; Df: 0.004; CTE: 11~13 ppm; LTCCは埋め込み受動部品をサポート | 最小線幅/間隔: 12 µm/12 µm; 4~6層ビルドアップをサポート |
| 誘電体積層層 | ABF GX-92 / パナソニック R-1515 | 厚さ:5µm;レーザードリル穴径:40µm | FCマイクロバンプシステムと互換性あり |
| 銅箔 | 裏面処理箔(RTF)≤ 1オンス | 表面粗さ(Ra)≤ 2 µm、低高周波損失 | ミリ波SiPに最適 |
| 封止接着剤 | ① 低応力エポキシ(EP-121) ② 高透過率シリコーン(OE-6650) | CTE: 26 ppm; Tg: 120~140°C; 光透過率: ≥ 90% | トップポッティングまたは局所的なカプセル化に使用 |
| サーマルインターフェースマテリアル | シリコンパッドまたはTIM(2~5 W/m·K) | 厚さ: 0.1~0.2 mm; 絶縁耐力: ≥ 3 kV | パッケージとハウジング/ヒートシンクの間に使用 |
| エリア | プロセスの組み合わせ | 厚さ | 目的 |
|---|---|---|---|
| ボード全体 | ENEPIG(無電解ニッケル無電解パラジウム浸漬金) | Ni 3 ~ 5 μm + Pd 0.05 μm + Au 0.03 μm | FCマイクロバンプ、金ワイヤボンディング、SMT配置に対応 |
| 高周波アンテナエリア | OSP(有機はんだ付け性保護剤)またはImAg(浸漬銀) | 0.15〜0.3 µm | 最小の表皮効果損失、ミリ波挿入損失 < 0.2 dB/インチ |
| エッジコネクタ | 選択的硬質金めっき | Ni 3 ~ 5 μm + Au 0.5 ~ 1.5 μm | 挿入寿命 ≥ 10,000サイクル |
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