| 層 | 推奨モデル/仕様 | Key Parameters | 備考 |
|---|---|---|---|
| 基板 | 高 Tg FR-4 (例: Shengyi SY-1140、Taiguang TU-872) | ガラス転移温度(Tg)≥ 170°C、熱分解温度(Td)≥ 340°C | リフローはんだ付けとウェーブはんだ付けを連続して行う必要があるため、材料の耐熱性が両方のプロセスに適合している必要があります。 |
| 銅箔 | 裏面処理箔(RTF)(≤ 3オンス) | 表面粗さ(Ra)≤ 4μm、伸び≥ 25% | SMT微細回路生産とTHT高電流容量の要件を満たします |
| 局所熱誘電層 | TC-350、IT-180A | 熱伝導率: 2~3 W/m·K、熱膨張係数 (CTE): 13~15 ppm/°C | 放熱性を高めるためにパワーデバイスの下の局所的な積層に使用されます。 |
| はんだマスクインク | ハロゲンフリーの黒色レーザーダイレクトイメージング(LDI)インク | 288℃の高温に10秒間耐え、硬度は6H以上 | ホットエアレベリング(HAL)プロセス中の衝撃によるインクの落下を防止します |
| SMT接着剤(接着固定+ウェーブはんだ付け工程用) | EP-138 熱硬化型接着剤 | 150℃、90秒間硬化、せん断強度15MPa以上 | 「SMT部品の接着剤固定+ウェーブはんだ付け」プロセスでのみ使用され、純粋なSMTプロセスでは排除されています。 |
| エリア | プロセスの組み合わせ | 厚さ | 目的 |
|---|---|---|---|
| ボード全体 | ENIG(無電解ニッケルイマージョンゴールド) | ニッケル 3~5 μm + 金 0.05 μm | SMD(表面実装デバイス)領域の平坦な表面、ワイヤボンディングに適しています |
| 大きなパッド/電源エリア | HAL-LF(鉛フリー熱風レベリング) | スズ銅 1~2μm | 穴壁の濡れ性が良く、コストが低い |
| ゴールドフィンガー | 選択的硬質金めっき | Ni 3 ~ 5 μm + Au 0.5 ~ 1.5 μm | 耐摩耗性、挿入サイクル10,000回以上 |
| RFマイクロストリップ | OSP(有機はんだ付け性保存剤) | 0.2〜0.3μm | 最小限の表皮効果損失 |
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