| 層 | 推奨モデル/仕様 | Key Parameters | 備考 |
|---|---|---|---|
| チップバンプ | 高鉛95Pb5Sn(C4)またはSAC305マイクロバンプ | 直径:60~100µm、高さ:50~80µm、ピッチ:80~150µm | 高鉛バンプの融点は320℃で、後続のプロセスで高温に耐えることができます。一方、鉛フリーバンプはボイドを防ぐために真空リフローが必要です。 |
| UBM(バンプ下配線) | Ti/Cu/Ni/AuまたはAl/Ni(V)/Cu | 総厚:0.5~1.0µm;Ni層:0.3µm(拡散防止) | バンプせん断強度が6g/バンプ以上であることを判定(JEDEC JESD22-B117準拠) |
| キャリア/基板 | ① BT樹脂コア(ABF GX-13) ② コアレス+ビルドアップ | Dk: 3.4@10 GHz; Df: 0.004; CTE: 11~13 ppm | 最小線幅/間隔: 12 µm/12 µm |
| 誘電体積層層 | ABF GX-92 または Panasonic R-1515 | 厚さ:5µm;レーザードリル穴径:40µm | 40 µmレーザービアに対応 |
| はんだマスク | 感光性ブラックLDIインク | 厚さ: 15~20 µm; 解像度: 25 µm; 288°Cで10秒間耐える | フラックスによるバンプの汚染を防ぐ |
| プロセス | 厚さ | FCの利点 | 製品制限 |
|---|---|---|---|
| ENEPIG(無電解ニッケル無電解パラジウム浸漬金) | Ni 3 ~ 5 μm + Pd 0.05 ~ 0.1 μm + Au 0.03 ~ 0.05 μm | 高鉛/鉛フリーバンプに対応。ワイヤボンディングとはんだ付けの両方に適しており、黒ニッケルに耐性があります。 | 最もコストが高く、パラジウムの厚さ制御が必要 |
| ENIG(無電解ニッケルイマージョンゴールド) | ニッケル 3~5 µm + 金 0.05 µm | 従来のFC-BGAに適しています。平坦度は0.3µm未満です。 | 黒ニッケルのリスク; 高鉛リフローで脆化しやすい |
| 浸漬錫(ImSn) | 0.8〜1.2 µm | SACバンプとの互換性、薄い界面IMC、低ボイド | 保存期間: 6 か月; スズウィスカーが発生しやすい |
| OSP(有機はんだ付け性保存剤) | 0.15〜0.3 µm | RF-FCハイブリッドボードに最適。表皮効果による損失が最小限 | 複数回の高温サイクルには耐えられず、1回のリフローに限定される |
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