
| Materiale/Sistema | Spessore tipico | Prestazioni chiave | Idoneità alla perforazione laser | Riepilogo in una riga |
| Costruzione FR4 (IPC-4104 /21-/25) | 50–100 micron | Tg 150–170 °C, Dk≈4.2 | Vetro ≤50 µm, perforabile al laser | 1+N+1 HDI più economico |
| RCC (rame rivestito in resina) | 40–80 micron | Senza vetro, Dk≈4.0, Df≈0.015 | Eccellente (nessun blocco di vetro) | Prima scelta per fori laser ciechi, scheda madre del telefono |
| Pellicola LCP | 25–50 micron | Dk=2.9, Df=0.002 a 10 GHz | Eccellente (si scioglie sotto il laser) | Antenna mmWave, SerDes ad alta velocità |
| Pellicola di accumulo PI | 25–50 micron | Tg≥250 °C, saldabile a 300 °C | Buono (vetro basso) | HDI ad alta affidabilità aerospaziale/medica |
| Miscela BT/epossidica | 60–100 micron | Tg 180–220 °C, basso Z-CTE | Vetro sottile, perforabile al laser | Substrati per pacchetti di chip (FC-BGA) |
| Parametro di processo | Campione | Partita |
|---|---|---|
| Livelli | 50L | 40L |
| Spessore del bordo finito | 0.2-18.0 mm | 0.3-10.0 mm |
| Tolleranza spessore scheda | ± 8% | ± 8% |
| Larghezza minima/spaziatura della linea | 1.5 milioni/1.5 milioni | 2 milioni/2 milioni |
| Distanza minima tra fori e linee | 5 1000 | 5 1000 |
| Dimensione massima di elaborazione | 1200 mm * 600 mm | 570 mm * 760 mm |
| Dimensioni minime finite | 5 mm * 5 mm | 50 mm * 50 mm |
| Spessore di rame | 1/3 oz-12 oz | 1/3 oz-8 oz |
| Precisione dell'allineamento strato-strato | 0.8 1000 | 1 1000 |
| Diametro minimo del foro passante | 0.075 mm | 0.1 mm |
| Diametro minimo del foro cieco | 0.05 mm | 0.075 mm |
| Rapporto di aspetto massimo | 35:1 | 30:1 |
| Tolleranza all'incisione | ±10%/±0.8 mil | ±10%/±1 mil |
| Ponte maschera di saldatura minima | 2 1000 | 3 1000 |
| Tolleranza di controllo dell'impedenza | ± 5% | ± 7% |
| Ordine HDI | Ordine 8th | Ordine 5th |
| Processo di finitura superficiale | ENIG, E-Gold, HASL, Ni-Pd-Au, E-Gold spesso, ImSn, ImAg, OSP, ecc. | ENIG, E-Gold, HASP, Ni-Pd-Au |
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