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Lavorazione CNC di piastre di supporto per il trasporto di wafer
Le piastre di supporto per il trasporto di wafer sono piattaforme di supporto per substrati lavorate con precisione che sostengono e proteggono in modo sicuro i wafer semiconduttori durante le operazioni di movimentazione, lavorazione e stoccaggio. In Zintilon, siamo specializzati nella lavorazione CNC di piastre di supporto, supporti per substrati e vassoi di trasporto per ottenere un'eccezionale planarità, una generazione minima di particelle e stabilità termica, per prestazioni affidabili nella fabbricazione di semiconduttori e negli ambienti di camera bianca.
- Lavorazione per superfici di supporto ultrapiatte e caratteristiche di supporto dei wafer
- Tolleranze strette fino a ±0.001 pollici per il posizionamento dei wafer
- Fresatura di precisione, rettifica e finitura superficiale
- Supporto per la prototipazione rapida e la produzione su larga scala
- Produzione certificata ISO 9001 con competenza nel settore dei semiconduttori
Fidati da Oltre 15,000 aziende
Perché le aziende di semiconduttori
Scegli Zintilon
Produttività incrementata
Gli ingegneri recuperano tempo evitando di dover gestire catene di fornitura immature o di avere personale insufficiente nella loro azienda e ottenendo così i pezzi rapidamente.
Tolleranze 10 volte più strette
Zintilon è in grado di lavorare pezzi con tolleranze ristrette pari a +/- 0.0001 pollici, una precisione 10 volte maggiore rispetto ad altri servizi leader.
Qualità di livello mondiale
Zintilon fornisce parti aerospaziali per le principali aziende aerospaziali, verificate per essere conformi allo standard di qualità ISO9001 da un registrar certificato. Inoltre, la nostra rete include partner di produzione certificati AS9100, se necessario.
Dalla prototipazione alla produzione di massa
Zintilon fornisce lavorazioni CNC per piastre di supporto e relativi componenti per la movimentazione dei wafer per produttori di apparecchiature per semiconduttori, impianti di lavorazione dei wafer e fornitori di automazione per camere bianche in tutto il mondo.
Piastre di supporto prototipo
Ottieni prototipi ad alta precisione di piastre di supporto che replicano fedelmente il tuo progetto finale. Testa la ritenzione dei wafer, verifica l'uniformità termica e garantisci un trasporto privo di contaminazioni prima della produzione su larga scala dei semiconduttori.
Punto chiave
Punto chiave
- Prototipazione rapida ad alta precisione
- Tolleranze strette (±0.001 pollici)
- Progettazione del test, planarità e ritenzione precoce del wafer
EVT – Test di convalida ingegneristica
Prototipazione rapida di piastre di supporto per soddisfare pienamente tutti i requisiti di movimentazione e termici da testare. L'identificazione precoce di eventuali problemi di progettazione consente transizioni più fluide per la produzione di componenti di trasporto wafer su larga scala.
Punto chiave
Punto chiave
- Convalidare la funzionalità del prototipo
- Iterazioni di progettazione rapida
- Garantire la prontezza per la produzione
DVT – Test di convalida del progetto
Verificare la precisione del progetto e le prestazioni termiche delle piastre di supporto con strutture, materiali e configurazioni di supporto diversi, per massimizzare il supporto e la protezione dei wafer prima della produzione completa.
Punto chiave
Punto chiave
- Confermare l'integrità del progetto e la qualità della planarità
- Testare più materiali e configurazioni
- Garantire prestazioni pronte per la produzione
PVT – Test di convalida della produzione
Valutazione delle piastre di supporto per la produzione su larga scala e identificazione dei problemi di produzione rimanenti, per garantire la prevedibilità prima della produzione completa.
Punto chiave
Punto chiave
- Testare la capacità di produzione su larga scala
- Rilevare e risolvere tempestivamente i problemi di processo
- Garantire una qualità costante dei pezzi
Produzione di massa
Piastre di supporto di alta qualità, di grado semiconduttore, con trasporto affidabile dei wafer, realizzate per una consegna puntuale ai produttori di apparecchiature di fabbricazione e ai trasformatori di wafer.
Punto chiave
Punto chiave
- Produzione costante e ad alto volume
- Lavorazione di precisione per qualità di livello semiconduttore
- Tempi di consegna rapidi con rigoroso controllo di qualità
Approvvigionamento semplificato per
la nuova industria energetica
Le nostre capacità di produzione di parti per l'industria aeronautica sono state verificate da molte società quotate. Forniamo una varietà di processi di produzione e trattamenti superficiali per parti aerospaziali, tra cui leghe di titanio e leghe di alluminio.
Esplora altri componenti semiconduttori
Scopri la nostra selezione completa di componenti semiconduttori lavorati a CNC, realizzati per garantire durata e tolleranze ultra-ristrette. Da utensili e componenti di precisione a camere a vuoto e sistemi di movimentazione wafer, offriamo soluzioni su misura per la produzione avanzata di semiconduttori.
- Braccia
- Mandrini per wafer
- Effettori finali
- Alloggiamenti per camere a vuoto
- Piattaforme per palcoscenici
- Dispositivi di allineamento
- Telai di bloccaggio del carico
- Porta reticolo
- Piastre di base di precisione
- Scambiatori di calore
- Telai di supporto
- Staffe strutturali
- Alloggiamenti dei connettori
- Attrezzature per utensili
Capacità di lavorazione delle piastre di supporto per il trasporto dei wafer
Utilizzando le nostre fresatrici CNC all'avanguardia, abbinate alle nostre rettificatrici ad alta precisione che integrano sistemi avanzati di misurazione della planarità, e ai nostri talentuosi macchinisti con esperienza nella lavorazione di componenti a semiconduttore, realizziamo lavorazioni CNC di piastre di supporto per il trasporto di wafer con una qualità eccellente. Dalla progettazione e lavorazione delle piastre di supporto di processo ai supporti per mandrini a vuoto e ai supporti per lotti multi-wafer con superfici di supporto di precisione, ogni componente dell'architettura è progettato con sistemi che garantiscono la planarità dei wafer e una distribuzione uniforme del calore per una gestione del processo di fabbricazione dei semiconduttori senza contaminazioni.
Per ogni piastra di supporto, realizziamo progettazione e lavorazione secondo specifiche complesse che includono fresatura CNC di precisione, rettifica superficiale per ottenere un'ultra planarità, lavorazione di tasche per incavi wafer e rivestimenti speciali per favorire il contenimento delle particelle. Il processo di progettazione e lavorazione include anche la verifica della planarità e i test di cicli termici. Utilizziamo materiali eccellenti e diversificati che promuovono la conduttività termica, la resistenza chimica, la lavorazione ad alta temperatura e la stabilità dimensionale (in ambienti ad alta temperatura e corrosivi) per la costruzione delle piastre di supporto.
Per ogni piastra di supporto, realizziamo progettazione e lavorazione secondo specifiche complesse che includono fresatura CNC di precisione, rettifica superficiale per ottenere un'ultra planarità, lavorazione di tasche per incavi wafer e rivestimenti speciali per favorire il contenimento delle particelle. Il processo di progettazione e lavorazione include anche la verifica della planarità e i test di cicli termici. Utilizziamo materiali eccellenti e diversificati che promuovono la conduttività termica, la resistenza chimica, la lavorazione ad alta temperatura e la stabilità dimensionale (in ambienti ad alta temperatura e corrosivi) per la costruzione delle piastre di supporto.
Aeronautico
Materiali e finiture
Materiali Necessari
Forniamo una vasta gamma di materiali, inclusi metalli, plastica e compositi.
Finiture
Offriamo finiture superficiali superiori che migliorano la durata e l'estetica delle parti per applicazioni che richiedono superfici lisce o strutturate.
Industrie specializzate
Potete sottolinearlo nei disegni o comunicarlo al reparto vendite.
Materiali per componenti di piastre di supporto
Ogni componente di lavorazione delle piastre di supporto per il trasporto di wafer è realizzato secondo i nostri standard di lavorazione CNC, che promuovono materiali diversificati e di eccellente qualità. Con oltre 15 materiali di substrato e leghe per la gestione termica, offriamo materiali semiconduttori compatibili con il processo di fabbricazione per promuovere la prototipazione rapida e la produzione di componenti per la movimentazione di precisione di wafer.
Elevata lavorabilità e duttilità. Le leghe di alluminio hanno un buon rapporto resistenza/peso, elevata conduttività termica ed elettrica, bassa densità e naturale resistenza alla corrosione.
Prezzo
$$
Tempi Di Consegna
<7 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.003 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
L'acciaio è una lega forte, versatile e durevole di ferro e carbonio. L'acciaio è forte e durevole. Elevata resistenza alla trazione, resistenza alla corrosione, resistenza al calore e al fuoco, facilmente modellabile e formabile. Le sue applicazioni spaziano dai materiali da costruzione e componenti strutturali ai componenti automobilistici e aerospaziali.
Prezzo
$$$$$
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.001 mm (fresatura)
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Le leghe di acciaio inossidabile hanno elevata resistenza, duttilità, usura e resistenza alla corrosione. Possono essere facilmente saldati, lavorati e lucidati. La durezza e il costo dell'acciaio inossidabile sono superiori a quelli della lega di alluminio.
Prezzo
$$
Tempi Di Consegna
<7 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Il titanio è un materiale avanzato con eccellenti caratteristiche di resistenza alla corrosione, biocompatibilità e resistenza al peso. Questa gamma unica di proprietà lo rende la scelta ideale per molte delle sfide ingegneristiche affrontate dai settori medico, energetico, chimico e aerospaziale.
Prezzo
$ $ $
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Altamente resistente alla corrosione dell'acqua di mare. Le proprietà meccaniche del materiale sono inferiori a molti altri metalli lavorabili, rendendolo ideale per componenti a bassa sollecitazione prodotti mediante lavorazione CNC.
Prezzo
$$$$$
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
L'ottone è meccanicamente più resistente e le proprietà del metallo a basso attrito rendono l'ottone con lavorazione CNC ideale per applicazioni meccaniche che richiedono anche resistenza alla corrosione come quelle riscontrate nel settore marino.
Prezzo
$ $ $
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Pochi metalli hanno la conduttività elettrica del rame quando si tratta di materiali per fresatura CNC. L'elevata resistenza alla corrosione del materiale aiuta a prevenire la ruggine e le sue caratteristiche di conduttività termica facilitano la modellatura della lavorazione CNC.
Prezzo
$ $ $
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
A causa della bassa resistenza meccanica del magnesio puro, vengono utilizzate principalmente le leghe di magnesio. La lega di magnesio ha una bassa densità ma un'elevata resistenza e una buona rigidità. Buona tenacità e forte assorbimento degli urti. Bassa capacità termica, elevata velocità di solidificazione e buone prestazioni di pressofusione.
Prezzo
$$$$
Tempi Di Consegna
<7 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Il ferro è un metallo indispensabile nel settore industriale. Il ferro è legato con una piccola quantità di acciaio al carbonio, che non si smagnetizza facilmente dopo la magnetizzazione ed è un eccellente materiale magnetico duro, nonché un importante materiale industriale, ed è anche utilizzato come principale materia prima per il magnetismo artificiale.
Prezzo
$$$$$
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Lo zinco è un metallo leggermente fragile a temperatura ambiente e ha un aspetto grigio-lucido quando l'ossidazione viene rimossa.
Prezzo
$$$$$
Tempi Di Consegna
<10 giorni
Tolleranze
Fino a ±0.005 mm
Dimensione massima della parte
3000 * 2200 * 1100 mm
Dimensione minima della parte
2 * 2 * 2 mm
Costruiamo qualcosa di grande, insieme
FAQ: Piastre di supporto per applicazioni di trasporto wafer
Le piastre di supporto sono dispositivi di protezione e manipolazione per wafer semiconduttori. Progettate per la massima precisione, fungono da strutture di supporto per i substrati. Ne esistono di diversi tipi. Esistono piastre di supporto di processo utilizzate per CVD, incisione e impiantazione ionica a 1200 °C, supporti a vuoto per lucidatura e rettifica e supporti a contatto con i bordi per la contaminazione del retro del wafer. Esistono anche navi per la lavorazione in batch per la lavorazione verticale multipla di wafer in forni tubolari, piastre a cassetta per lo stoccaggio e il trasferimento automatico dei wafer, supporti elettrostatici per la lavorazione al plasma e piastre di gestione termica con riscaldamento o raffreddamento integrati. Infine, vassoi di trasporto da 200 mm e 300 mm per sistemi FOUP e di supporto per wafer supportano semiconduttori composti e substrati MEMS tra le sequenze di fabbricazione.
Le piastre di supporto sono realizzate utilizzando fresatura CNC di precisione, che prevede la creazione di profili con tasche per wafer, supporti per i bordi e reti di canali per il vuoto, il tutto mantenendo tolleranze entro ±0.001 pollici. La superficie superiore è piana con una precisione da 10 a 25 micron e una finitura superficiale inferiore a 1.6 Ra micron viene ottenuta tramite rettifica superficiale. Le tasche sono lavorate per creare nidi di wafer incassati con controllo della profondità di ±0.002 pollici. La foratura delle cavità per vuoto, perno di sollevamento e sensore di temperatura viene eseguita con una precisione di posizionamento dei fori di ±0.005 pollici. I fori per sollevamento a vuoto e perno sono allineati con precisione per controllare il wafer. La lavorazione EDM di materiali in grafite e ceramica crea canali di raffreddamento complessi, mentre la lappatura consente di ottenere superfici di supporto ultrapiatte per applicazioni critiche con una planarità di 5 micron.
L'alluminio 6061-76 e 5083 hanno una conduttività termica di 167 W/mK, un costo relativamente basso e una potenza sufficiente per applicazioni a temperature non elevate. Sono inoltre adatti per ambienti di camera bianca di classe 10 e 100 dopo la finitura superficiale. La lavorazione meccanica è facilmente eseguibile anche per complesse lavorazioni di tasche di precisione. La grafite di qualsiasi classificazione, inclusi i processi di isostampaggio e EDM, presenta una bassa espansione, è in grado di raggiungere temperature elevate fino a 3000 °C in atmosfere inerti ed è chimicamente inerte ai gas di processo. La grafite ha un'espansione simile a quella del silicio, è autolubrificante e presenta una bassa espansione, il che è vantaggioso per i compositi di grafite. Di qualsiasi materiale, i supporti in carburo di silicio offrono una conduttività termica massima di 270 W/mK e una stabilità alle alte temperature di 1600 °C. I substrati in carburo di silicio sono ideali quando l'espansione termica è un problema. Le ceramiche di ossido di Al e nitruro di Al garantiscono isolamento elettrico e conduttività termica di 20 - 170 W/mK, mentre l'altissima purezza della ceramica la mantiene libera da contaminazioni metalliche, rendendola ideale per componenti di fascia alta.
25 micron, il controllo sul posizionamento del wafer è ottenuto con tolleranze di profondità delle tasche di ±0.002 pollici, una planarità complessiva della piastra di 25 micron è stata ottenuta per una piastra di 300 mm di diametro, una precisione di ±0.005 pollici per il posizionamento dei fori del vuoto e dei perni di sollevamento e la finitura complessiva delle superfici di supporto nel sistema è stata mantenuta al di sotto di 1.6 Ra micron per garantire una generazione minima di particelle. Per le piastre di supporto dei semiconduttori da 200 mm, 300 mm e rettangolari, sono stati mantenuti spessori con tolleranze di ±0.010 pollici ed è stata raggiunta un'uniformità termica di ±2 °C durante la lavorazione.
Sì, realizziamo prototipi rapidi specificamente per test termici e convalida dei processi in ambienti di strumenti di produzione, produzione a basso volume per processi specializzati di semiconduttori e applicazioni di ricerca e sviluppo, producendo da 20 a 200 piastre di supporto, e produzione ad alto volume per materiali di consumo fab, fornendo ai produttori di semiconduttori in tutto il mondo da migliaia a decine di migliaia di piastre all'anno, inclusa l'ispezione dimensionale completa mediante CMM e interferometria laser, misurazione della planarità sull'intera superficie, convalida del ciclo termico dalla temperatura ambiente alla temperatura di processo, test di generazione di particelle secondo gli standard SEMI, certificati di purezza dei materiali e pacchetti di documentazione completi.
Tutti i componenti sono realizzati secondo sistemi di gestione della qualità certificati ISO 9001 con tracciabilità dei materiali, inclusa l'analisi della purezza e la documentazione del contenuto di tracce di metalli, verifica dimensionale mediante apparecchiature di misurazione di precisione, documentazione della planarità con mappatura dell'intera superficie, convalida delle prestazioni termiche e aderenza ai requisiti del settore dei semiconduttori, inclusi gli standard SEMI per materiali e pulizia, specifiche di degassamento secondo SEMI F19 per la compatibilità con il vuoto, limiti di generazione di particelle secondo SEMI E37, resistenza chimica alle sostanze chimiche di processo e specifiche termiche che garantiscono l'uniformità della temperatura di processo e la stabilità dimensionale.
Le varie opzioni sono l'anodizzazione dura di tipo III su alluminio con spessore del rivestimento da 25 a 100 micron con durezza superficiale superiore a 65 HRC che garantisce un'eccellente resistenza all'usura, l'elettrolucidatura superficiale su alluminio con Ra inferiore a 0.4 micron per la rimozione dei difetti superficiali e una ridotta adesione delle particelle, il rivestimento a spruzzo al plasma per resistenza chimica e barriera termica con ittrio o allumina, il rivestimento CVD (deposizione chimica da vapore) con SiC e grafite pirolitica, per superfici ad alta purezza, la rettifica di precisione con Ra controllato da 0.8 a 3.2 micron e trattamenti aggiuntivi che includono passivazione, rettifica e distacco con rivestimento in PTFE, per un basso attrito, ceramica per l'isolamento elettrico e per completare la gamma, il miglioramento della consistenza superficiale con Ra selezionato per operazioni di lucidatura specifiche.
Per le piastre di supporto prototipo destinate ai test di processo, i tempi di consegna standard per i progetti completati sono di 10-14 giorni lavorativi, a seconda del materiale e del rivestimento richiesti; in caso contrario, i tempi di consegna standard per i progetti completati sono di 15-20 giorni lavorativi, con l'intero ciclo di lavorazione, trattamento superficiale, pulizia, controlli di planarità e la serie completa di passaggi per verificare la pulizia. L'altra categoria tende a essere costituita da supporti personalizzati più complessi con elementi riscaldanti integrati o rivestimenti specializzati, che richiedono dalle 4 alle 7 settimane per essere completati.
Certamente. Realizziamo piastre di supporto personalizzate per specifiche temperature di lavorazione, sia per applicazioni a bassa temperatura inferiore a 200 °C, che per lavorazioni in forno ad alta temperatura fino a 1200 °C utilizzando grafite o SiC, per temperature ultra elevate fino a 1600 °C con ceramiche specializzate, o per wafer di diverse dimensioni e forme, come substrati da 200 mm, 300 mm, rettangolari e irregolari. Forniamo piastre di supporto compatibili con il vuoto che soddisfano i requisiti di degassamento per la lavorazione al plasma e configurazioni con contatto laterale che riducono al minimo la contaminazione del lato posteriore. Integriamo funzionalità di controllo termico con riscaldatori o canali di raffreddamento integrati e offriamo funzionalità personalizzate aggiuntive come superfici di serraggio elettrostatiche, impilamento multilivello per un trasporto verticale efficiente in termini di spazio, interfacce di movimentazione automatizzate per FOUP e compatibilità AMHS.
Una planarità delle tasche di 10-25 micron sosterrà uniformemente il wafer, evitando incurvamenti e deformazioni. Questo riduce al minimo e rimuove le distorsioni nei pattern e gli errori di sovrapposizione dei pattern in litografia, con conseguente miglioramento di incurvamenti e deformazioni. Una profondità controllata delle tasche di ± 0.002 pollici eviterà incoerenze nel posizionamento del wafer grazie a contatti termici ripetibili. Ciò garantisce inoltre una distribuzione della temperatura di ± 2 °C sul diametro del wafer durante la deposizione CVD e la diffusione, e una temperatura uniforme del wafer di 0.002 pollici di profondità delle tasche durante i processi di diffusione CVD. Una precisione di posizionamento dei fori di ± 0.005 pollici garantisce una corretta distribuzione del vuoto, il che favorisce la ritenzione del wafer, agevola le azioni automatiche dei perni di sollevamento e riduce al minimo il rischio di perdita del wafer nel vuoto. Finiture superficiali più lisce di 1.6 Ra micron produrranno meno particelle e ridurranno al minimo la compatibilità con le camere bianche di Classe 10 con <0.1 particelle per contatto del wafer. I pattern dei canali migliorano l'uniformità della temperatura durante il processo, riducendo la differenza di temperatura tra il bordo e il centro del 30-50%. Il tutto è realizzato con materiali senza compromessi che contribuiscono alla dimensionalità delle composizioni chimiche di HF, HCl e plasma caricate termicamente attraverso oltre 500 cicli di processo. L'espansività termica corrispondente riduce al minimo lo stress differenziale sulla rampa di temperatura.
La produzione di precisione consente una movimentazione affidabile dei wafer per la lavorazione front-end, l'impianto ionico, le deposizioni CVD e PVD, i trattamenti termici e la crescita epitassiale. Ciò richiede una manipolazione senza contaminazione, uniformità termica entro ±1 °C per i processi critici e stabilità dimensionale pluriennale, il tutto mantenendo la compatibilità con i sistemi di movimentazione automatizzata dei materiali negli impianti di fabbricazione di semiconduttori ad alto volume.
La produzione di precisione consente una movimentazione affidabile dei wafer per la lavorazione front-end, l'impianto ionico, le deposizioni CVD e PVD, i trattamenti termici e la crescita epitassiale. Ciò richiede una manipolazione senza contaminazione, uniformità termica entro ±1 °C per i processi critici e stabilità dimensionale pluriennale, il tutto mantenendo la compatibilità con i sistemi di movimentazione automatizzata dei materiali negli impianti di fabbricazione di semiconduttori ad alto volume.
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