
| Catégories | Modèle/Spécifications recommandés | Paramètres clés | Remarques |
|---|---|---|---|
| Soutien | ① Carte de construction BT sans noyau (ABF GX-13) ; ② Céramique co-frittée à basse température (LTCC) | Dk : 3.4 à 10 GHz ; Df : 0.004 ; CTE : 11–13 ppm ; LTCC prend en charge les composants passifs intégrés | Largeur/espacement minimal des lignes : 12 µm/12 µm ; supporte 4 à 6 couches d’accumulation |
| Couche d'accumulation diélectrique | ABF GX-92 / Panasonic R-1515 | Épaisseur : 5 µm ; diamètre du trou percé au laser : 40 µm | Compatible avec les systèmes de micro-bosses FC |
| Feuille de cuivre | Feuille traitée inversée (RTF) ≤ 1 oz | Rugosité de surface (Ra) ≤ 2 µm ; faibles pertes haute fréquence | Convient aux SiP à ondes millimétriques |
| Adhésif d'encapsulation | ① Époxy à faible contrainte (EP-121) ; ② Silicone à haute transmittance (OE-6650) | Coefficient de dilatation thermique (CTE) : 26 ppm ; Tg : 120–140 °C ; Transmittance lumineuse : ≥ 90 % | Utilisé pour l'enrobage par le haut ou l'encapsulation locale |
| Matériau d'interface thermique | Coussinet en silicone ou TIM (2–5 W/m·K) | Épaisseur : 0.1–0.2 mm ; Rigidité diélectrique : ≥ 3 kV | Utilisé entre le boîtier et le dissipateur thermique. |
| Région | Combinaison de processus | Grosor | Interet |
|---|---|---|---|
| Conseil d'administration entier | ENEPIG (nickel autocatalytique palladium immersion or) | Ni 3–5 µm + Pd 0.05 µm + Au 0.03 µm | Compatible avec les micro-bosses FC, le câblage par fil d'or et le placement SMT |
| Zone d'antenne haute fréquence | OSP (agent de préservation de la soudabilité organique) ou ImAg (argent d'immersion) | 0.15 à 0.3 µm | Perte minimale due à l'effet de peau ; perte d'insertion des ondes millimétriques < 0.2 dB/pouce |
| Connecteur Edge | Placage à l'or dur sélectif | Ni 3 à 5 µm + Au 0.5 à 1.5 µm | Durée de vie d'insertion ≥ 10 000 cycles |
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