
| Couche | Modèle/Spécifications recommandés | Paramètres clés | Remarques |
|---|---|---|---|
| Chip Bump | Microbilles à haute teneur en plomb 95Pb5Sn (C4) ou SAC305 | Diamètre : 60–100 µm ; Hauteur : 50–80 µm ; Pas : 80–150 µm | Les plots à haute teneur en plomb ont un point de fusion de 320 °C et peuvent résister à des températures élevées lors des processus ultérieurs ; les plots sans plomb nécessitent un refusion sous vide pour éviter les vides. |
| Métallisation sous-bosses (UBM) | Ti/Cu/Ni/Au ou Al/Ni(V)/Cu | Épaisseur totale : 0.5–1.0 µm ; couche de Ni : 0.3 µm (empêche la diffusion) | Détermine la résistance au cisaillement par impact ≥ 6 g/impact (selon JEDEC JESD22-B117) |
| Support/Substrat | ① Noyau en résine BT (ABF GX-13) ; ② Sans noyau + Reconstruction | Dk : 3.4 à 10 GHz ; Df : 0.004 ; CTE : 11–13 ppm | Largeur/espacement minimal des lignes : 12 µm/12 µm |
| Couche d'accumulation diélectrique | ABF GX-92 ou Panasonic R-1515 | Épaisseur : 5 µm ; diamètre du trou percé au laser : 40 µm | Compatible avec les vias laser de 40 µm |
| Solder Mask | Encre LDI noire photosensible | Épaisseur : 15–20 µm ; Résolution : 25 µm ; Résiste à 288 °C pendant 10 s | Empêche le flux de contaminer les bosses |
| Processus | Grosor | Avantages du FC | Limites |
|---|---|---|---|
| ENEPIG (nickel autocatalytique palladium immersion or) | Ni 3 à 5 µm + Pd 0.05 à 0.1 µm + Au 0.03 à 0.05 µm | Compatible avec les plots à haute teneur en plomb/sans plomb ; convient au câblage et au soudage ; résistant au nickel noir | Coût le plus élevé ; nécessite un contrôle de l’épaisseur du palladium |
| ENIG (Nickel Immersion Or Electroless) | Ni 3–5 µm + Au 0.05 µm | Convient aux FC-BGA conventionnels ; planéité < 0.3 µm | Risque de nickel noir ; sujet à la fragilisation lors du refusionnement à haute teneur en plomb |
| Étain à immersion (ImSn) | 0.8 à 1.2 µm | Compatible avec les bosses SAC ; couche intermédiaire IMC mince ; faible porosité | Durée de conservation : 6 mois ; sujet à la formation de filaments d’étain |
| OSP (Conservateur de Soudabilité Organique) | 0.15 à 0.3 µm | Idéal pour les cartes hybrides RF-FC ; perte minimale due à l’effet de peau | Ne résiste pas à de multiples cycles à haute température ; limité à un seul refusion. |
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