
| Categoría | Modelo/Especificación recomendado | Parámetros clave | observaciones |
|---|---|---|---|
| Soporte | ① Placa de construcción BT sin núcleo (ABF GX-13); ② Cerámica cocida a baja temperatura (LTCC) | Dk: 3.4 a 10 GHz; Df: 0.004; CTE: 11–13 ppm; LTCC admite componentes pasivos integrados. | Ancho/espaciado mínimo de línea: 12 µm/12 µm; admite de 4 a 6 capas de acumulación. |
| Capa de acumulación dieléctrica | ABF GX-92 / Panasonic R-1515 | Espesor: 5 µm; Diámetro del orificio perforado con láser: 40 µm | Compatible con sistemas de micro-bump FC |
| Hoja de cobre | Papel de aluminio tratado inversamente (RTF) ≤ 1 oz | Rugosidad superficial (Ra) ≤ 2 µm; baja pérdida de alta frecuencia | Adecuado para SiP de ondas milimétricas |
| Adhesivo de encapsulación | ① Epoxi de baja tensión (EP-121); ② Silicona de alta transmitancia (OE-6650) | CTE: 26 ppm; Tg: 120–140 °C; Transmitancia de luz: ≥ 90 % | Se utiliza para el encapsulado superficial o el encapsulado local. |
| Material de interfaz térmica | Almohadilla de silicona o TIM (2–5 W/m·K) | Espesor: 0.1–0.2 mm; Rigidez dieléctrica: ≥ 3 kV | Se utiliza entre el paquete y la carcasa/disipador de calor. |
| Área | Combinación de procesos | Espesor | Propósito |
|---|---|---|---|
| Junta completa | ENEPIG (Oro de inmersión de paladio no electrolítico de níquel no electrolítico) | Ni 3–5 µm + Pd 0.05 µm + Au 0.03 µm | Compatible con micro-bumps FC, unión de alambre de oro y colocación SMT |
| Área de antena de alta frecuencia | OSP (conservante orgánico de soldabilidad) o ImAg (plata de inmersión) | 0.15-0.3 µm | Pérdida mínima por efecto pelicular; pérdida de inserción de ondas milimétricas < 0.2 dB/pulgada |
| Conector de borde | Chapado selectivo en oro duro | Ni 3–5 µm + Au 0.5–1.5 µm | Vida útil de la inserción ≥ 10,000 ciclos |
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