
| Material/System | Typische Dicke | Key Performance | Eignung für Laserbohren | Kurzzusammenfassung |
| FR4 Aufbau (IPC-4104 /21-/25) | 50–100 µm | Tg 150–170 °C, Dk≈4.2 | ≤50 µm Glas, laserbohrbar | Niedrigster 1+N+1 HDI |
| RCC (Harzbeschichtetes Kupfer) | 40–80 µm | Glasfrei, Dk≈4.0, Df≈0.015 | Ausgezeichnet (keine Glasverzerrung) | Erste Wahl für Laser-Blinddurchkontaktierungen, Smartphone-Hauptplatinen |
| LCP-Film | 25–50 µm | Dk=2.9, Df=0.002@10 GHz | Ausgezeichnet (schmilzt unter Laserbestrahlung) | Millimeterwellenantenne, Hochgeschwindigkeits-SerDes |
| PI-Aufbaufilm | 25–50 µm | Glasübergangstemperatur ≥ 250 °C, lötbar bis 300 °C | Gut (niedriges Glas) | Hochzuverlässige HDI für Luft- und Raumfahrt/Medizin |
| BT/Epoxid-Mischung | 60–100 µm | Glasübergangstemperatur Tg 180–220 °C, niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient Z-CTE | Dünnes Glas, laserbohrbar | Chipgehäusesubstrate (FC-BGA) |
| Prozessparameter | Musteranfrage | Stapel |
|---|---|---|
| Schichten | 50L | 40L |
| Fertige Plattendicke | 0.2-18.0 mm | 0.3-10.0 mm |
| Plattendickentoleranz | ± 8% | ± 8% |
| Minimale Linienbreite/-abstand | 1.5 Mio./1.5 Mio | 2 Mio./2 Mio |
| Mindestloch-Leitungsabstand | 5 Tausend | 5 Tausend |
| Maximale Verarbeitungsgröße | 1200 mm * 600 mm | 570 mm * 760 mm |
| Mindestfertiggröße | 5 mm * 5 mm | 50 mm * 50 mm |
| Kupferdicke | 1/3 Unze bis 12 Unzen | 1/3 Unze bis 8 Unzen |
| Genauigkeit der Schicht-zu-Schicht-Ausrichtung | 0.8 Tausend | 1 Tausend |
| Mindestdurchmesser der Durchgangsbohrung | 0.075mm | 0.1mm |
| Mindestdurchmesser der Sacklöcher | 0.05mm | 0.075mm |
| Maximales Seitenverhältnis | 35:1 | 30:1 |
| Ätztoleranz | ±10%/±0.8 Mio. | ±10%/±1 Mio. |
| Min Lötstopplackbrücke | 2 Tausend | 3 Tausend |
| Impedanzkontrolltoleranz | ± 5% | ± 7% |
| HDI-Auftrag | 8. Bestellung | 5. Bestellung |
| Oberflächenveredelungsprozess | ENIG, E-Gold, HASL, Ni-Pd-Au, dickes E-Gold, ImSn, ImAg, OSP usw. | ENIG, E-Gold, HASP, Ni-Pd-Au |
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